单选题

下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?

A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP

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单选题
下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?
A.突触前膜超极化 B.Ca2+经突触前膜进入突触小体 C.突触前膜释放抑制性递质 D.突触后膜对Cl-通透性增强 E.Cl-内流产生IPSP
答案
单选题
下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的()。
A.突触后膜对Cl B.突触前膜释放抑制性递质 C.突触前膜超极化 D.l E.a
答案
单选题
下列关于IPSP产生过程的叙述,错误的是()
A.突触前膜去极化,Ca2+进入突触前膜内 B.囊泡与前膜融合破裂 C.释放抑制性递质 D.突触后膜对Cl-、K+通透性增强 E.K+内流突触后膜去极化产生IPSP
答案
单选题
下述关于EPSP产生过程的叙述哪一项是错误的?
A.突触前膜去极化 B.Ca2+经突触前膜进入突触小体 C.突触小泡释放兴奋性递质并与后膜受体结合 D.突触后膜对Na+、K+、Cl-特别是Na+通透性增强 E.Na+内流突触后膜超极化产生EPSP
答案
主观题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生的叙述,哪一项是错误的?
答案
主观题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?( )
答案
单选题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca2 斗由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对 K+.Cl-的通透性升高 E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动答案
答案
单选题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的
A.突触前轴突末梢去极化 B.Ca C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
答案
单选题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()
A.突触前轴突末梢去极化 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 E.突触后膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
答案
单选题
下列关于逆转录过程的叙述哪一项是错误的下列关于逆转录过程的叙述哪一项是错误的()
A.以RNA为模板合成DNA B.RNA—DNA杂交体是其中间产物 C.需RNA指导的DNA聚合酶 D.底物是四种NTP E.需引物
答案
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