关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的

关于抑制性突触后电位（IPSP）的生产过程的描述，哪一项是错误的？ 关于抑制性突触后电位（IPSP）产生的叙述，哪一项是错误的? 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（） 下列对抑制性突触后电位描述中正确的是下列对抑制性突触后电位描述中正确的是（） 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是： 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的 关于抑制性突触后电位（IPSP），下列叙述错误的是（）。 关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。 抑制性突触后电位产生的离子机制是（） 抑制性突触后电位产生的离子机制是 抑制性突触后电位产生的离子机制是 抑制性突触后电位产生的离子机制是 抑制性突触后电位的产生机制是（） 抑制性突触后电位产生的离子机制是（） 抑制性突触后电位产生的离子机制是（） 抑制性突触后电位是（　　）。