一般来讲，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()

锗材料二极管的死区电压为（）V 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 硅材料二极管的死区电压为（） 普通硅二极管的死区电压为()。   二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 锗二极管的死区电压为0.1V。 硅半导体二极管的死区电压约为（）。 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 单40、硅二极管的死区电压为（） 加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。 硅二极管的死区电压为           ,正向导通压降为          ;锗二极管的死区电压为          ,正向导通压降为        。   二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。