锗二极管的死区电压约为（）

加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 锗二极管正向导通电压应为（）。 锗二极管门限电压是（）V 二极管的死区电压就是反向偏置电压。