DA-16型晶体管毫伏表的测量误差是±3%，在100V电压挡测量50V的电压时，其误差是50V*3%=1.5V，所以最大误差为±1.5V。（）

硅晶体管的死区电压约为V（） 晶体管毫伏表专用输入电缆线,其屏蔽层、线芯分别是 晶体管毫伏表专用输入电缆线，其屏蔽层、线芯分别是()。 测量晶体管回路的各点电位应用低内阻电压表（） JT-1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是（）V。 测量晶体管回路的各点电位，应使用低内阻电压表（） 晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（） 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为()。 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（ ） [06].用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V,V2=6V,V3=2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（） 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V, V2=6V, V3=2.7V,由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为( )。 用万用表直流电压档测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（）。 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件（） 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件（） 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。 用一只1.5级15V的电压表和一只0.5级150V的电压表测量10V电压。测量误差（）。 晶体管和场效应管的根本区别在于：晶体管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件 利用JT-1型晶体管特性图示仪，不但可以测试晶体管，换可以测量电容的电容量、电感的电感量只能测量晶体管（） 电力晶体管属于双极型晶体管（） 电力晶体管属于双极型晶体管。