抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起

抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 抑制性突触后电位是指突触后膜出现 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致 抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致 抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致（） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。 兴奋性突触后电位（EPSP）和抑制性突触后电位（IPSP）共有的特点是（） 抑制性突触后电位形成时，突触后膜通透性增加的离子是 抑制性突触后电位形成时，突触后膜通透性增加的离子是 抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现（） 抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现（） 突触后膜出现（）极化，称为抑制性突触后电位。 关于抑制性突触后电位（IPSP），下列叙述错误的是（）。 抑制性突触后电位是指突触后膜局部去极化 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致(   ) 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ） 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？() 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?()