关于抑制性突触后电位（IPSP），下列叙述错误的是（）。
A. CI-通道开放可降低IPSP
B. 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C. IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D. IPSP使神经元的兴奋性增加
E. IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
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关于抑制性突触后电位（IPSP），下列叙述错误的是（）。
A.CI-通道开放可降低IPSP B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D.IPSP使神经元的兴奋性增加 E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
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关于抑制性突触后电位（IPSP）产生的叙述，哪一项是错误的?
答案
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是
A.突触前末梢递质释放减少 B.突触后膜Ca C.突触后膜Na D.中间神经元受抑制 E.突触后膜发生超极化
答案
下列关于抑制性突触后电位的叙述（）
A.是局部去极化电位 B.具有“全或无”性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
兴奋性突触后电位（EPSP）和抑制性突触后电位（IPSP）共有的特点是（）
A.突触前膜均去极化 B.突触前膜均超极化 C.突触后膜均去极化 D.突触后膜均超极化
答案
抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
关于抑制性突触后电位（IPSP）的生产过程的描述，哪一项是错误的？
A.突出前末梢去极化 B.Ca C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
答案
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A.是局部去极化电位 B.具有“全或无”性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A.是局部去极化电位 B.具有'全或无'性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.是局部去极化电位
答案
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
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突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是：
抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起
下列对抑制性突触后电位描述中正确的是下列对抑制性突触后电位描述中正确的是（）
抑制性突触后电位是（ ）。
抑制性突触后电位是
抑制性突触后电位是
抑制性突触后电位是
抑制性突触后电位是（）
抑制性突触后电位
抑制性突触后电位（）
抑制性突触后电位（ ）
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