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中国大学MOOC: 在室温27度时,硅二极管的死区电压大约为 V。
主观题
中国大学MOOC: 在室温27度时,硅二极管的死区电压大约为 V。
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主观题
中国大学MOOC: 在室温27度时,硅二极管的死区电压大约为 V。
答案
单选题
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()
A.正确 B.错误
答案
主观题
硅二极管的死区电压为
答案
单选题
硅二极管的死区电压约为()
A.0. 1V B.0.7 V C.0.3 V D.0.5V
答案
单选题
硅二极管的死区电压约为()
A.0.2、, B.0.5V C.0.7V D.0.9V
答案
单选题
硅二极管的死区电压约为()
A.0.2 B.0.3 C.0.5 D.0.7
答案
单选题
硅材料二极管的死区电压为()
A.0.1V B.0.3V C.0.5V D.0.7V
答案
单选题
普通硅二极管的死区电压为()。
A.0.1V B.0.2V C.0.5V D.1V
答案
判断题
一般来说,硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。
答案
单选题
硅半导体二极管的死区电压约为()。
A.0.2V B.1.2V C.0.5V D.1.5V
答案
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硅材料二极管的死区电压为()V。
单40、硅二极管的死区电压为()
硅材料二极管的死区电压为()V
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硅材料二极管的死区电压为0.3V。
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晶体二极管具有正向特性,硅管的死区电压为()。
晶体二极管具有正向特性,硅管的死区电压为()
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硅二极管的死区电压一般为0.2V()
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