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叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
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叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
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叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
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主观题
简述碳化硅制品的种类,氮化硅结合碳化硅砖的工艺特点。
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简述碳化硅制品的种类,氮化硅结合碳化硅砖的工艺特点
答案
单选题
氮化硅的性能不包括()
A.抗氧化性 B.抗渣性 C.抗热震性 D.提高炮泥的磨蚀能力
答案
多选题
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
A.晶圆顶层的保护层 B.多层金属的介质层 C.多晶硅与金属之间的绝缘层 D.掺杂阻挡层 E.晶圆片上器件之间的隔离
答案
多选题
氮化硅陶瓷的硬度仅次于()等几种物质。
A.金刚石 B.立方氮化硼 C.碳化硼 D.CO2 E.NO2
答案
单选题
下列关于耐高温新型陶瓷——氮化硅(Si3N4)的叙述,正确的是
A.N两种元素的质量比为4:3 B.氮化硅中氮元素的质量分数为60% C.4g D.氮化硅的相对分子质量为l44
答案
多选题
氮化硅陶瓷主要用于()形状复杂且尺寸精度高的制品
A.耐腐蚀 B.高强度 C.耐磨 D.耐高温 E.热膨胀大
答案
判断题
不是常用去湿法的是化学去湿法()
答案
判断题
化学去湿法比其他去湿法费用高()
答案
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化学去除
()去湿,属于化学去湿法。
氮化硅是由Si3N4四面体组成的( )固体
光导纤维、碳纳米管、氮化硅结构陶瓷等都是新型无机非金属材料()
分子筛去湿,属于化学去湿法()
氮化硅陶瓷在无润滑条件下工作时,是一种极为优良的耐磨材料。()
氮化硅陶瓷是()晶系的晶体,以[Si3N4]为结构单元,具有极强的共价键性。
去除()接痕有两种方法:人工去除接痕法、化学去接痕法。
Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有:⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶电容介质 由于氮化硅氧化速率极低,因此被用作()的掩蔽膜
叶丝干燥去湿的方法,有真空去湿、机械去湿、化学去湿和加热去湿等多种。在卷烟生产中,烘丝工艺通常采用加热去湿法()
化学去神经技术叙述哪一项不正确
烘丝干燥去湿的方法有真空去湿、化学去湿、加热去湿等多种,在卷烟工艺中,采用加热去湿法,即干燥设备用蒸汽加热,通过()去湿。
湿法制粒制备乙酰水杨酸片的工艺哪些叙述是正确的湿法制粒制备乙酰水杨酸片的工艺哪些叙述是正确的()
烘丝干燥去湿的方法有真空去湿、化学去湿、加热去湿等多种,在卷烟工艺中,采用加热去湿法,即干燥设备用(),通过加热壁直接与烟丝接触去湿。
所谓钢的氮化是一种化学热处理工艺其目的是()
湿法制备乙酰水杨酸片的工艺叙述正确的是
重氮化废水一般采用()去除苯胺。
关于中药片剂湿法制粒压片工艺流程叙述正确的是
湿法制备乙酰水杨酸片的工艺哪些叙述是正确的
湿法制粒制备乙酰水杨酸片的工艺哪些叙述是正确的()
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