室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。

中国大学MOOC: 在本征锗中参入三价元素硼，本征半导体将变成（ ）。 本征半导体的载流子为电子和空穴。（ ） 中国大学MOOC: 本征半导体在一定温度下，就会在热激发下产生电子和空穴对，从而形成本征载流子浓度，本证半导体的带电性是（）。 本征半导体中两种载流子的数量（） 本征半导体中两种载流子的数量（） 随着温度上升，本征半导体与金属材料的电阻率的变化情况是一样的（） 本征半导体的载流子为自由电子和空穴 本征锗中掺入III价元素杂质，为（）型半导体 在绝对零度时，本征半导体中()载流子。 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（） 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等（） 在本征半导体中,空穴浓度____电子浓度; 材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体（） 材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。（） 在本征半导体中，自由电子浓度空穴浓度； 在本征半导体中，空穴浓度____自由电子浓度 本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度（） 一般情况下，本征半导体导电是依靠本征激发作用的。( )[221000000] 本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh（） 本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh（）