硅三极管的导通电压UBE(On) 为0.6~0.8V

硅管导通电压0.3V,锗管导通电压0.7V 接通电路，测量调节器大功率三极管的管压降过低(小于0.6V)，说明三极管( )。 三极管正常放大时，发射结的正向导通电压变化不大，锗管约为V（） 某NPN硅三极管各极电压为Ue=0v,Ub=0.2V,Uc=6V,该管处于（状态（） 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小（） 测得三极管三个电极电压为UE＝0V，UB＝-3V，UC＝6V，确定三极管的工作状态为（） 三极管各极对公共端电位如下所示，则处于放大状态的硅三极管是()。   二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。 硅管的导通电压约为（）V 硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏。 硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏 三极管中，硅管的结构主要是（）。 三极管处于正常放大时，硅管的V_BE约为（）V,锗管的V_BE约为（） 已知NPN型硅三极管，测得基极电位2V，集电极电位1.5V，发射极电位1.3V，则判断该三极管工作在（） 用直流电压表测量PNP型三极管电路，三极管各极对地电位是V_B=-4.7V,Vc=-4.3V,V_E=-4V,则该三极管的工作状态是()。   晶体三极管发射结处于正向偏置时，三极管就导通。 晶体三极管发射结处于正向偏置时，三极管就导通（） 晶体三极管发射结处于正向偏置时，三极管就导通。 在工程应用中，常通过实测电路板上三极管三个引脚对地的电压来判断三极管的工作状态，若测得三极管的集电极对地电压接近于电源电压V_CC,则表明三极管处于（）状态。