三极管加正向偏置时存在一个死区电压，锗管死区电压为（）V，硅管为（）V。

锗材料二极管的死区电压为（）V 若锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是（） 锗管的死区电压为0.3V，管子导通时所加的正向电压应是（） 一般来讲，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 锗二极管的死区电压为0.1V。 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 二极（锗）管的死区电压为（）。 二极（锗）管的死区电压为（） 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为V（） 要使三极管具有放大作用，发射结加（）偏置电压，集电结加（）偏置电压 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：（）加正向电压，（）加正向电压。 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（B）V（） 二极管是一个PN结，具有单向导电性，当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零，当电压超过一定数值后，电流增长很快，这个一定数值的正向电压被称为死区电压或开启电压，其大小和材料有关，通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（） 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 加在二极管上的正向电压大于死区电压时，二极管（）;加反向电压时，二极管（）。   晶体三极管必须在发射结加正向偏置电压，集电结加（），才具有放大作用 二极管的死区电压就是反向偏置电压。