抑制性递质与突触后膜受体结合引起突触后膜（）

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（） 突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 对于肾上腺素受体来说，当突触前膜的（）兴奋时，抑制递质释放；当突触前膜的（）兴奋时，促进递质释放。 突触后膜出现（）极化，称为抑制性突触后电位。 抑制性突触后电位是指突触后膜出现 突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现（） 抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现（） 抑制性突触后电位是指突触后膜局部去极化 外周突触后膜β受体激动时可引起（） 外周突触后膜N受体激动可引起（） 突触前抑制的特征是突触后膜（） 突触前抑制可使突触后膜出现IPSP 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。() 突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（） 突触传递中递质一旦释放，无论是否与突触后膜上的受体结合，都会迅速地被分解或被重吸收到突触小体或扩散离开突触间隙，使（） 抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（）