只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度变化。( )

在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（）。 在放大电路中，由于晶体管的内部反馈，可能产生自激，防止的办法除正确选择晶体管的参数及控制各级放大倍数外，常采用（）电路 利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。() 在单管晶体管放大电路中，电压放大倍数小的电路是()。 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升茼时，晶体管的β、、的变化情况为（） 在放大电路中，晶体管通常工作在放大区（） 晶体管放大电路分析分为 温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将 在放大电路中,经过晶体管的信号（） 在放大电路中晶体管通常工作在（）。 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（　　）。 在晶体管放大电路中，带负载能力最强的放大电路是 基本放大电路中，经过晶体管中的信号（）。 晶体管是通过直接耦合器使晶体管饱和或截止来控制外部负载电路的通断（） JSS-4A型晶体管h参数测试议中的直流放大电路采用了放大器（） 在放大电路中，晶体管出现饱和是由于（）。 在放大电路中，晶体管出现饱和是由于（）。 基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。 基本放大电路中，经过晶体管的信号有()。 在晶体管放大器中，一般的耦合方式有（）