通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

由二极管的特性曲线可以看出，当二极管的反向电压增加时，反向饱和电流（） 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（小）（） 测量二极管的反向饱和电流时，反向电压增加时，反向电流（）。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流()。 当温度降低时，二极管反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。   当温度升高时，二极管的反向饱和电流将减小。（ ） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 温度升高时，二极管的正向导通电压（）,反向饱和电流（）。   当温度升高时，二极管的反向饱和电流将，正向压降将 有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已（）;又有一硅二极管正、反向电阻均接近无穷大，表明该二极管已（）。   二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减少（）