高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）
A. 随深度增加，等剂量线向外侧扩张
B. 电子束入射距离较远
C. 电子束入射能量较高
D. 电子束中包含一定数量的X射线
E. 电子束在其运动径迹上不易被散射
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高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）
A.随深度增加，等剂量线向外侧扩张 B.电子束入射距离较远 C.电子束入射能量较高 D.电子束中包含一定数量的X射线 E.电子束在其运动径迹上不易被散射
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关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）
A.大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区 B.大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区 C.大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区 D.剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减 E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
答案
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（）
A.剂量建成区 B.高剂量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是
A.剂量建成区 B.高质量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
不属于高能电子束百分深度剂量的是
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.X射线污染区 E.剂量跌落区
答案
关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.剂量跌落区 E.X射线污染区
答案
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（）
A.电子束无明显建成效应 B.电子束的皮肤剂量较高 C.电子束的照射范围平坦 D.电子束射程较短 E.电子束容易被散射
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A.DS（表面剂量） B.DX（韧致辐射剂量） C.Rr（剂量规定值深度） D.RP（射程） E.Dr（剂量规定值） F.Mn2+ G.Cu2+
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括
A.D#$IMG0$#（表面剂量） B.D#$IMG1$#（韧致辐射剂量） C.R#$IMG2$#（剂量规定值深度） D.R#$IMG3$#（射程） E.D#$IMG2$#（剂量规定值）
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A.DS（表面剂量） B.DX（韧致辐射剂量） C.Rr（剂量规定值深度） D.RP（射程） E.Dr（剂量规定值）
答案
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电子束斜入射对百分深度剂量的影响是
高能电子束的高值等剂量曲线，随深度增加（）
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）
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描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确？
描述照射野对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点，哪项错误（）
电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是，照射野的执行与电子束射程比值（）
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对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是（）。
电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比（）
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确（）
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由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（）
下列有关高能电子束剂量分布特点的描述哪项不正确？（）
高能电子束的PDD曲线可大致分为（）
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对高能电子束剂量跌落的度量可用剂量梯度G表示，其值大小为（）
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