关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？
A. 随射线能量增加，表面剂量减少
B. 随射线能量减小，X射线污染减少
C. 随射线能量增加，高剂量坪区变宽
D. 随射线能量减小，剂量梯度增大
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关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？
A.随射线能量增加，表面剂量减少 B.随射线能量减小，X射线污染减少 C.随射线能量增加，高剂量坪区变宽 D.随射线能量减小，剂量梯度增大
答案
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确？
A.随射线能量增加，表面剂量减少 B.随射线能量增加，剂量建成更迅速 C.随射线能量减小，高剂量坪区变宽 D.随射线能量减小，剂量梯度增大 E.随射线能量减小，X射线污染减少
答案
描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
A.较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响 B.较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响 C.较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大 D.较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大 E.较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大
答案
描述照射野对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
A.较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响 B.较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响 C.较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量的影响较大 D.较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量的影响较大 E.较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量的影响较大
答案
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）
A.大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区 B.大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区 C.大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区 D.剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减 E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
答案
电子束斜入射对百分深度剂量的影响是
A.源于电子束的侧向散射效应 B.距离平方反比造成的线束的扩散效应 C.源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果 D.源于电子束的偏射角度 E.源于射程的增加
答案
关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.剂量跌落区 E.X射线污染区
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A.DS（表面剂量） B.DX（韧致辐射剂量） C.Rr（剂量规定值深度） D.RP（射程） E.Dr（剂量规定值） F.Mn2+ G.Cu2+
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括
A.D#$IMG0$#（表面剂量） B.D#$IMG1$#（韧致辐射剂量） C.R#$IMG2$#（剂量规定值深度） D.R#$IMG3$#（射程） E.D#$IMG2$#（剂量规定值）
答案
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A.DS（表面剂量） B.DX（韧致辐射剂量） C.Rr（剂量规定值深度） D.RP（射程） E.Dr（剂量规定值）
答案
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