可控硅触发电路不该触发时，其触发回路电压应低于（）。

保护性触发是指可控硅承受过电压后，还没有被触发导通，为避免可控硅受过电压损坏，（）利用就地保护触发功能及时触发可控硅；同时，还有一个PF信号送给THM。 保护性触发是指可控硅承受过电压后，还没有被触发导通，为避免可控硅受过电压损坏，（）利用就地保护触发功能及时触发可控硅；同时，还有一个PF信号送给THM 可控硅阻容以移相桥触发电路，空载时的移相范围是（）。 可控硅整流装置主回路与移相触发电路的交流电源接入的相序应相同，否则，可控硅整流装置不能正确动作。 在三相半波可控硅整流电路中，可控硅在承受正向电压并有触发信号时（） 可控硅的导通条件是在控制极上加触发电压。 可控硅的导通条件是在控制极上加触发电压（） ()可控硅桥式移相触发电路，触发信号为正弦波，故导通点不稳定。 可控硅桥式移相触发电路，触发信号如为正弦波，则导通点不固定。（） 可控硅导通后即使触发电压消失,由于作用仍能保持导通（） 可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等 对于可控硅锯齿波触发电路，若不加倒相级，该电路移相范围为（） 当温度降低时，可控硅的触发功率（）。 双向可控硅的触发方式有（） 可控硅从截止状态到导通触发脉冲的宽度必须在10μs以下，才能保证可控硅可靠触发（） 双向可控硅的触发方式有哪些（） 单向可控硅导通后，控制极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于状态（） 可控硅过电流优先触发的保护是（） 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成。 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成