可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等

可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ 要使可控硅导通，必须在（）间加上正向电压，同时加以适当的正向控制极电压。 可控硅不触发时，触发电路的电压应控制在之间（） 单向可控硅触发导通，控制极即失去控制作用，即使控制极电压变为零，单向可控硅也仍然保持导通（） 可控硅正向电压大于正向转折电压时，呈________状态。 可控硅触发电路不该触发时，其触发回路电压应低于（）。 在三相半波可控硅整流电路中，可控硅在承受正向电压并有触发信号时（） 当在可控硅的控制极施加正电压时（） 单相半波可控硅整流电路，可控硅承受的最大正向电压为输入电源电压的（） 为了防止可控制硅的误导通，正向重复峰值电压VFRM应为正向转折电压VBCR（） 在控制极开路和正向阻断的条件下，允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压（） 可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之则增大（） 可控硅的正向阻断条件是（） 可控硅的正向电流维持电流时，可控硅将自动关断（） 要使可控硅导通，必须在阳极与阴极间加正向电压，控制极与阴极间加适当（） 可控硅加正向电压即可导通，加反向电压即可关断。（） 可控硅导通后即使触发电压消失,由于作用仍能保持导通（） 为了避免可控硅整流输出电压失控，在感性负载上并联一正向二极管（二极管正极与可控硅阴极相连）（） 可控硅反向电压大于反向最高测试电压时，可控硅________。 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压（）