（）为了提高反向击穿电压，在PN结之间加入了一层高阻本征层

什么叫PN结的反向击穿 什么叫二极管的反向击穿和反向击穿电压？ 可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（） PN结方程可以描述PN结的正、反向特性,也可以描述其反向击穿特性 PN 结加反向电压时,PN结变____、反向电流较____、反向电阻较____、PN结处于____状态 当PN结外加反向电压时，耗尽层（） 二极管反向工作峰值电压，一般是反向击穿电压的（） 可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ 硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态（） 二极管的最高反向工作电压一般取其反向击穿电压的（）。 PN结反向击穿后肯定能损坏（） 二极管反向工作峰值电压，一般是反向击穿电压的1/3（） 通常二极管的最高反向工作电压取反向击穿电压的一半。() PN结两端加正向电压时，其正向电阻。（二反向击穿技吾（） 通常集射极反向击穿电压应大于电源电压的（）倍。 二极管的反向击穿电压是指（ ）。 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。（） 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。