某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
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某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）
A.增强型PMOS B.增强型NMOS C.耗尽型PMOS D.耗尽型NMOS
答案
（场效应管放大电路）共源极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 ；共漏极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压
答案
场效应管是通过（）改变漏极电流的。
A.栅极电流 B.栅源电压 C.漏源电压
答案
场效应管是用____ 控制漏极电流的（）
A.栅源电流 B.栅源电压 C.栅漏电流 D.栅漏电压
答案
场效应管漏极电流由()的漂移运动形成。
A.少子 B.电子 C.多子 D.两种载流子
答案
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的
A.电流 B.电压 C.电场 D.电流、电压、电场
答案
场效应管漏极电流由少子的漂移运动形成。()
A.错误 B.正确
答案
场效应管是利用外加电压产生的电压来控制漏极电流的大小的。()
A.错误 B.正确
答案
场效应管的三个极分别是源极、栅极和漏极（）
答案
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。
A.很大 B.随 C.Vos变化 D.较小 E.等于0
答案
热门试题
场效应管用来控制漏极电流（）
场效应管的漏极电流是由少子的漂移运动形成。()
在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的（）
场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时，它的低频跨导将：
有的场效应管的漏极可以和源极交换作用，而不影响其工作性能（）
场效应管共漏极放大器（源极跟随器）的特点是（）
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）
N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（????? ）。
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()
场效应管门极指的是栅极（）
场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。
场效应管是利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小的，因此它是_______控制器件
结型场效应管的漏极和源极互换使用，仍有正常的放大作用；
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强（）
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强（）
场效应管的S极是指栅极（）
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