N沟道MOSFET管的导通条件是（）
A. Uc＞Us，UCs=0.6~0.7V
B. Uc＞Us，UCs=0.45—3V
C. Uc＜US，UcS=0.6—0.7V
D. Uc＜Us，Ucs=0.45—3V
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N沟道MOSFET管的导通条件是（）
A.Uc＞Us，UCs=0.6~0.7V B.Uc＞Us，UCs=0.45—3V C.Uc＜US，UcS=0.6—0.7V D.Uc＜Us，Ucs=0.45—3V
答案
P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。()
A.错误 B.正确
答案
二极管的导通条件是（）
A.UD＞0 B.UD＞死区电压 C.UD＞击穿电压 D.UB ＜ 击穿电压
答案
二极管的导通条件是（）
A.UD ＞死区电压 B.UD ＞0 C.UD
答案
N沟道增强型MOSFET导电沟道的厚度，和UGS的大小有关
答案
晶闸管导通条件是()。
A.阳极与阴极之间加正向电压 B.阳极与阴极之间加反向电压 C.控制极与阴极之间加正向电压 D.控制极与阴极之间加反向电压 E.阳极与控制极间加正向电压
答案
晶闸管的导通条件是 （ ）
答案
晶闸管的导通条件是( )
A.阳极与阴极间加正向电压 B.阳极与阴极间加反向电压 C.控制极与阴极间加正向电压 D.控制极与阴极间加反向电压
答案
N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____（）
A.UGS（th） , UGSQ-UGS（th） B.UDSQ , UGSQ+UGS（th） C.UGS（th） , UGSQ D.UGS（th） , UGSQ+UGS（th）
答案
二极管的导通条件是所给电压U要满足？（）。
A.U>O B.U>截止电压 C.U>导通电压 D.U>击穿电压
答案
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晶管的导通条件是:晶闸管加正向电压，门极加反向电压（）
二极管的导通条件是所给电压U要满足（）
二极管的导通条件是所给电压U要满足（）
选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
可控硅导通条件是()。
晶闸管导通条件为（）
晶闸管的导通条件（）
晶闸管的导通条件（）
二极管的导通条件是加在二极管两端的电压（）
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下列不是可控硅导通条件是（）
晶闸管的导通条件有哪些（）
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所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体（）
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