P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。()

双极型晶体管导电的载流子是 _________ ； N 沟道场效应管导电的载流子是 __________;P 沟道导电的载流子是 _______ 。 A 电子 B 空穴 C 电子和空穴 选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体（） 场效应管U加上正向电压，在（）与P型衬底间形成一个电场，该电场使P型衬底表面形成N型导电沟道。 P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为 （ ） 根据导电方式的不同，场效晶体管可分为N沟道和P沟道两类。（） P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电（） N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。 N沟道增强型场效晶体管的开启电压（）   N沟道结型场效应管的夹断电压VP为 （ ） P沟道结型场效应管的夹断电压Up为 P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（） N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内（） P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。() 中国大学MOOC:"对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）"; N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__, UDSQ>____（） 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是