锗材料二极管的PN结导通电压典型值为()。

锗二极管的正向导通电压是（）。 锗二极管的正向导通电压力（） 锗二极管的正向导通电压为（）。 锗二极管的正向导通电压为（） 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 通常硅材料二极管的导通电压约为（） 二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（） 半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系（） 二极管的PN结正向偏置时，二极管（） 二极管的导通电压是（） 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 硅二极管和导通电压约为（）. 硅二极管的导通电压为（） 硅二极管的单项导通电压（） 二极管加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。() 硅二极管的导通电压为V（） 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。