二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V

锗二极管导通压降是（）V 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 若二极管的导通电压为0.3V，当阳极与阴极之间的电压大于（）V时，二极管导通 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 硅二极管的导通电压为V（） 锗二极管的正常导通管压降为（）。 锗材料二极管的PN结导通电压典型值为()。 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 二极管的导通电压是（） 二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通 理想二极管导通时，其正向电压降为()V。 硅二极管和导通电压约为（）. 硅二极管的单项导通电压（） 硅二极管的导通电压为（）