单选题

抑制性突触后电位导致突触后神经元活动减弱的原因在于()

A. 突触前神经元活动减弱
B. 兴奋性突触释放递质量减少
C. 后膜电位超极化
D. 轴丘始段去极化
E. 后膜电位去极化

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单选题
抑制性突触后电位导致突触后神经元活动减弱的原因在于()
A.突触前神经元活动减弱 B.兴奋性突触释放递质量减少 C.后膜电位超极化 D.轴丘始段去极化 E.后膜电位去极化
答案
主观题
抑制性突触后电位导致突触后神经元活动减弱的原因在于 
答案
单选题
抑制性突触后电位,能抑制运动神经元是因为
A.降低膜电导 B.改变神经元的阈电位 C.使膜电位超极化 D.缩短动作电位的时程 E.使兴奋性突触的递质释放减少
答案
单选题
抑制性突触后电位能抑制运动神经元是因为()。
A.使膜电位超极化 B.使兴奋性突触的递质释放减少 C.改变神经元的阈电位 D.降低膜电导 E.缩短动作电位的时程
答案
单选题
抑制性突触后电位抑制性突触后电位()
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
判断题
突触后神经元的活动取决于突触后电位总和的结果。()
答案
单选题
抑制性突触后电位()
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na+电导增加而产生 D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生 E.是一种去极化抑制的突触后电位
答案
单选题
抑制性突触后电位(  )
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜通透性增加所致
答案
单选题
抑制性突触后电位
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na D.是一种去极化抑制的突触后电位
答案
多选题
抑制性突触后电位
A.具有“全或无”性质 B.是超极化电位 C.是兴奋性递质释放减少所致 D.有总和现象 E.突触后膜主要对C1-通透性增加所致
答案
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