二极管两端加上0.7V的电压就能导通（）

二极管两端加上正向电压时，（ ) 二极管两端加上正向电压时()。 二极管两端只要加正偏电压，就能正向导通。（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 硅二极管两端加上正向电压时（） 硅二极管两端加上正向电压时，() 二极管两端承受正向电压时，一定会导通（） 二极管的导通条件是加在二极管两端的电压（） 二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 电路如图所示，其中处于导通状态的二极管是（），AO两端的电压V_AO为（）V。设二极管为理想的。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 电路如图所示，其中处于导通状态的二极管是（)。如果二极管的正向管压降为0.7V，则AO两端的电压V_AO为（)V。 电路如图（2)所示，其中处于导通状态的二极管是（)。如果二极管的正向管压降为0.7V，则AO两端的电压V_AO为（)V。 2DP9晶体二极管两端加上0.4V正向电压时，二极管相当于一个（） 导通后二极管两端电压变化很小，错管约为（） 在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。 在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V