导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V

二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 导通后二极管两端的正向压降称为（）,硅管导通电压约为（）,锗管的导通电压约为（）   二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V 二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。 绪二极管导通时的管压降约V（） 当二极管处在正向电压作用下，管子两端正偏压很小（约1V左右）时便开始导通（） 锗二极管导通压降是（）V 二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 锗二极管的导通电压为V（） 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 硅二极管导通压降是（）V 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。