在下列关于二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的（）

当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，二极管才能导通（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 对于二极管来说，当外加正向电压在一定范围内时，二极管的电流增量ΔI与电压增量ΔU成反比。 对于二极管来说，当外加正向电压在一定范围内时，二极管的电流增量ΔI与电压增量ΔU成反比（） 对于二极管来说，当外加正向电压在一定范围内时，二极管的电流增量ΔI与电压增量ΔU成反比。（） 在二极管两端加正向电压时，正向电流（），二极管处于（）状态。 在二极管两端加正向电压时，正向电流（），二极管处于（）状态 当给二极管加正向电压时，有电流通过二极管。称为二极管的（）。 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（） 硅二极管的型号为ZP100—8F，指的是其额定电流为100A，额定电压800V，正向平均电压（），（）的硅整流二极管。 当二极管的外加正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（） 电力二极管的额定电流指的是 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 二极管施加正向电压时，二极管处于状态（） 二极管加正向电压时，二极管导通，其正向电阻很大（） 小电流硅二极管的死区电压约为0.5V，正想压约为（）