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用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映(C)的绝缘状况()
单选题
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映(C)的绝缘状况()
A. 一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地;
B. 处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地;
C. 处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间;
D. 上下铁芯支架
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单选题
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况
A.一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地 B.处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地 C.处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间 D.上下铁芯支架
答案
单选题
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映(C)的绝缘状况()
A.一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地; B.处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地; C.处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间; D.上下铁芯支架
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