多选题

下列发明专利申请的权利要求,哪些请求保护的范围是不清楚的?()

A. 一种非易失性存储器的操作方法,包括……执行一抹除过程,其中井电压远大于基底电压
B. 一种装饰照明装置,包括照明灯及连接的导线,该导线的电阻很小
C. 一种含三水合氧化铝的牙膏,其中三水合氧化铝的平均粒度小于 30 微米,优选 5~20 微米
D. 一种制备产品 A 的方法,其特征在于……将混合物最高加热到不低于 80℃的温度

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下列发明专利申请的权利要求,哪些请求保护的范围是不清楚的?()
A.一种非易失性存储器的操作方法,包括……执行一抹除过程,其中井电压远大于基底电压 B.一种装饰照明装置,包括照明灯及连接的导线,该导线的电阻很小 C.一种含三水合氧化铝的牙膏,其中三水合氧化铝的平均粒度小于 30 微米,优选 5~20 微米 D.一种制备产品 A 的方法,其特征在于……将混合物最高加热到不低于 80℃的温度
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下列发明专利申请的权利要求,哪些请求保护的范围是不清楚的(不考虑选项中的省略号部分的内容)?
A.一种非易失性存储器的操作方法,包括……执行一抹除过程,其中井电压远大于基底电压 B.一种装饰照明装置,包括照明灯及连接的导线,该导线的电阻很小 C.一种含三水合氧化铝的牙膏,其中三水合氧化铝的平均粒度小于30微米,优选5~20微米 D.一种制备产品A的方法,其特征在于……将混合物最高加热到不低于80℃的温度
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下列发明专利申请的权利要求,哪些请求保护的范围是不清楚的(不考虑选项中的省略号部分的内容)?( )
A.一种非易失性存储器的操作方法,包括……执行一抹除过程,其中井电压远大于基底电压 B.一种装饰照明装置,包括照明灯及连接的导线,该导线的电阻很小 C.一种含三水合氧化铝的牙膏,其中三水合氧化铝的平均粒度小于30微米,优选5~20微米 D.一种制备产品A的方法,其特征在于……将混合物最高加热到不低于80℃的温度
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下列发明专利申请的权利要求,哪些请求保护的范围是不清楚的(不考虑选项中的省略号部分的内容):
A.一种非易失性存储器的操作方法,包括……执行?抹除过程,其中井电压远大于基底电压。 B.一种装饰照明装置,包括照明灯及连接的导线,该导线的电阻很小。 C.一种含三水合氧化铝的牙膏,其中三水合氧化铝的平均粒度小于30微米,优选5~20微米。 D.一种制备产品A的方法,其特征在于……将混合物最高加热到不低于80℃的温度。
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下列发明专利申请的权利要求,哪些请求保护的范围是不清楚的(不考虑选项中的省略号部分的内容):  
A.一种非易失性存储器的操作方法,包括……执行?抹除过程,其中井电压远大于基底电压。 B.一种装饰照明装置,包括照明灯及连接的导线,该导线的电阻很小。 C.一种含三水合氧化铝的牙膏,其中三水合氧化铝的平均粒度小于30微米,优选5~20微米。 D.一种制备产品A的方法,其特征在于……将混合物最高加热到不低于80℃的温度。
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A.化学式 B.数学式 C.表格 D.流程图
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A.权利要求2:如权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其特征在于d B.权利要求2:制造如权利要求1所述的半导体器件的方法,其特征在于e C.权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述部件f由铜制成 D.权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于还包括部件g
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多选题
某发明专利申请的权利要求1如下:“权利要求1:一种半导体器件,包括部件A.B.c。”下列哪些权利要求的撰写存在缺陷?
A.权利要求2:如权利要求1所述的制造半导体器件的方法,其特征在于d。 B.权利要求2:制造如权利要求1所述的半导体器件的方法,其特征在于e。 C.权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述部件f由铜制成。 D.权利要求2:如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于还包括部件g。
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