肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（）

二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 发光二极管工作在正向区域，正向导通电压低于普通二极管。 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管正向导通，其管压降为()。 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（） 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 二极管正向导通后，电流迅速上升，管压降也随者上升（） 晶体二极管正向导通的条件是其正向电压值（）。 晶体二极管正向导通的条件是其正向电压值()。 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 二极管正向导通时，二极管相当于（）。 二极管正向导通时，二极管相当于 二极管在正向导通时，锗管压降为（）左右 二极管正向导通后，其正向电流与正向电压是线性关系。