可控硅的正向阻断条件是（）

可控硅具有正.反向阻断能力（） 可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等 可控硅正向电压大于正向转折电压时，呈________状态。 单相半波可控硅整流电路，可控硅承受的最大正向电压为输入电源电压的（） 可控硅关断的条件是（）。 可控硅导通条件是()。 在三相半波可控硅整流电路中，可控硅在承受正向电压并有触发信号时（） 可控硅的导通条件是（） 可控硅导通的条件是（） 可控硅导通的条件是（）。 在规定条件下，维持可控硅导通所必须的最小正向电流称为（）电流。 晶闸管导通的条件是:可控硅（） 下列不是可控硅导通条件是（） 可控硅加正向电压即可导通，加反向电压即可关断。（） 福建棉花滩水电厂励磁系统只在可控硅元件侧装设反向阻断式阻容吸收回路，以保护可控硅。 下列不是可控硅导通条件的是（） 可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（） 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成。 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成 普通可控硅的门极能控制可控硅开通，也能控制可控硅关断，当可控硅开通后，门极就失去了控制作用（）