硅材料PN结的结压降为（）V。

二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持1V左右，所以正向偏置的PN结表现为高阻态。 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 硅管的正向压降为（）V。 硅管的导通压降为( )V。 当三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大．小功率硅管约为( )V，锗管约为( )V。 二极（硅）管的导通压降约为（） 通常硅管导通时的正向压降约为（） 锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。（） 锗材料PN结的结压降为（）。 PN结两端加入反向压降时，空间电荷区将（） 硅管的正向压降为0.7V。 硅管的正向压降为0.7V（） 硅二极管的正向导通压降约为 在电阻和电感串联电路中，已知电阻压降UR=60V，电感压降UL=80V，两端总电压为（）V。 下列二极管正向压降正确的是A.硅管为0.7VB．锗管为0.7VC．锗管为0.3VD．硅管为0.3V（） 硅整流发电机处于额定电压时，线路电压降不得超过（）V。