硅二极管的正向管压降约为0.7V（）

二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 硅二极管导通压降是（）V 锗二极管正向导通压降约为V（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。 绪二极管导通时的管压降约V（） 硅二极管正向导通，其管压降为()。 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 硅材料电力二极管正向压降为（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（）