线缺陷就是晶体中的位错。()

位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（） 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错（） 在晶体缺陷中，属于线缺陷的有（） 在晶体缺陷中，属于线缺陷的有（ ） 线缺陷主要指位错，位错有两种基本类型，即（)和（)。 所谓线缺陷，就是在晶体的某一平面上，沿着某一方向伸展的线状分布的缺陷。（）就是一种典型的线缺陷。 刃型位错就是多余的半片原子面，因此为面缺陷（） 晶体中的缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷四种形式（） 在晶体中由于位错的存在，在位错附近产生的影响中错误的是（） 晶体的线缺陷包括（）。 常见的晶体缺陷有( )、线缺陷、面缺陷 下列晶体缺陷属于线缺陷的是： 面心立方晶体中的全位错的柏氏矢量为（） 在FCC晶体中，肖克莱不全位错的伯氏矢量为（） 面心立方晶体中的全位错的柏氏矢量为（） 螺位错的位错线是（） 刃型位错的柏氏矢量与位错线平行，螺旋型位错的柏氏矢量与位错线垂直。（） 简述晶体中产生位错的主要来源。 FCC的全位错影响晶体的堆垛顺序（） 晶体中原子排列的不规则性称为晶体缺陷，根据晶体缺陷的几何特征，可分为点缺陷、线缺陷和（）三类。