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通常硅管的死区电压为()
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通常硅管的死区电压为()
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通常硅管的死区电压为()
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通常,硅管的死区电压约为V,锗管约为V()
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通常,硅管的死区电压约为V,锗管约为(B)V()
A.0.1V 0.5V B.0.5V 0.1V C.1V 5V
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二极(硅)管的死区电压为()。
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二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
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一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()
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