可控硅换相过电压保护是（）和（）。

可控硅加正向阳极电压，控制极不加触发电压，可控硅不导通称为可控硅正向阻断（） 在三相半波可控硅整流电路中，可控硅在承受正向电压并有触发信号时（） 可控硅加上正电压，即阳极接正电压，阴极接负电压，可控硅可导通。 机组灭磁方式、过电压保护动作灭磁、手动灭磁（经发电机开关闭锁），静止励磁灭磁时还动作可控硅逆变（） 置于每个整流桥的交流侧过电压阻容保护回路主要由一个三相二极管整流桥和一个连接在DC侧的电容组成，主要吸收由晶闸管整流而引起的电压尖峰以及现在可控硅整流桥副边的过电压（） 单相半波可控硅整流电路，可控硅承受的最大正向电压为输入电源电压的（） 关断缓冲电路主要用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt。 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成。 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成 阀短路保护目的是使可控硅免受换流变（）短路造成的过电流影响。 可控硅整流电路中，直流输出电压的大小是通过控制可控硅的导通（）来控制。 接到可控硅的电压必须从（）引出，否则过流保护和过压保护不起作” ()三相半波可控整流电路中，可控硅在承受正向电压时即导通。 整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。 可控硅的阳极直流电位是20v，阴极电位是OV，给控制极3V触发电压，此时可控硅导通，当取消3V触发电压时，可控硅（） 常用可控硅整流电路中，（）可控硅整流电路适用于大功率.高电压负载。 可控硅的伏安特性是指电阻-电压特性。 可控硅的伏安特性是指电阻-电压特性（） 阀短路保护目的是使可控硅免受换流变什么位置短路造成的过电流影响。（） 普通可控硅的门极能控制可控硅开通，也能控制可控硅关断，当可控硅开通后，门极就失去了控制作用（）