二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。

当环境温度升高时，二极管的反向电流将减小（） 当二极管的外加正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（） 加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。 当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（） 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 当环境温度升髙时，二极管的正向电压将__（） 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 二极管的死区电压就是反向偏置电压。 二极管的死区电压就是反向偏置电压（） 硅材料二极管的死区电压为（）