温度减小时，使晶体三极管参数发生如下变化（）
A. VBE减小，β增加，ICBO增加
B. VBE减小，β减小，ICBO减小
C. VBE增加，β增加，ICBO增加
D. VBE增加，β减小，ICBO减小
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温度减小时，使晶体三极管参数发生如下变化（）
A.VBE减小，β增加，ICBO增加 B.VBE减小，β减小，ICBO减小 C.VBE增加，β增加，ICBO增加 D.VBE增加，β减小，ICBO减小
答案
温度减小时,将使晶体三极管参数发生如下变化（）
A.VBE 减小, β增加, ICBO 增加 B.VBE 减小, β减小, ICBO 减小 C.VBE 增加, β增加, ICBO 增加 D.VBE 增加, β减小, ICBO 减小
答案
当温度升高时，晶体三极管的参数（ ）。
答案
若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：()。
A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压VCE上升 C.集电极电流增大
答案
晶体三极管的放大参数是（）。
答案
晶体三极管的放大参数是()。
A.电流放大倍数 B.电压放大倍数 C.功率放大倍数
答案
什么是晶体三极管的极限参数？
答案
晶体三极管的放大参数是指（）。
A.电流放大倍数 B.电压放大倍数 C.功率放大倍数 D.频率放大倍数
答案
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
答案
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小（）
答案
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下列（）不是晶体三极管的主要参数。
3AG和3DG系列的晶体三极管为（）晶体三极管
晶体三极管（）器件。
晶体三极管是
晶体三极管具有（）
晶体三极管发射结反偏置、集电结反偏置,晶体三极管处于工作状态（）
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端是极（）
下列中（）不是晶体三极管的主要参数
衡量晶体三极管放大能力的参数是指（）。
PNP型晶体三极管就是锗半导体三极管。（）
NPN型晶体三极管就是硅半导体三极管。（）
晶体三极管具有（）特性。
晶体三极管是（）器件
晶体三极管是()器件。
若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流诚小时，使该三极管（）
温度上升，对晶体三极管的影响是（）
晶体三极管的放大参数是电压的放大倍数。
晶体三极管的放大参数是电压的放大倍数（）
不属于晶体三极管主要参数的是
在NPN型晶体三极管放大电路中，若基极与发射极短路，则晶体三极管()。
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