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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
判断题
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
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判断题
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
答案
单选题
掺杂半导体中,载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子,在低杂质浓度下迁移率都,在高浓度下达到()
A.最高、最低 B.最低、最低 C.最高、最高 D.最低、最高
答案
单选题
通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低()
A.正确 B.错误
答案
判断题
块材半导体的载流子迁移率和载流子浓度通常可以用霍尔测量的方式直接测量。
答案
填空题
在半导体中,不仅有()载流子,还有()载流子,这是半导体区别于导体导电的重要特征。
答案
单选题
载流子迁移率()
A.Electricalconductivity B.electronmobility C.chargecarrierdensity
答案
判断题
半导体导电能力大于导体()
答案
判断题
轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低()
答案
判断题
半导体的导电能力随温度,掺杂或受光照射而发生变化()
答案
判断题
半导体的导电能力会随温度、光照及所掺杂质不同而显著变化。()
答案
热门试题
载流子迁移率(μ)的单位是()。
载流子迁移率的量纲是()
半导体的导电能力()。
迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度()
半导体中传导电流的载流子是
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
本征半导体是(),导电能力弱。
本征半导体的导电能力比杂质半导体强
半导体材料的导电能力比导体强。
N型半导体以()导电为主,也称为()型半导体,其中()为多数载流子,()为少数载流子; P型半导体以()导电为主,也称为( )型半导体,其中()为多数载流子,()为少数载流子。
半导体导电能力介于()和()之间。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,也称半绝缘体。()
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,也称半绝缘体()
半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()
本征半导体的导电能力远不如金属的导电能力好
纯净半导体的导电能力不比金属导体差。( )
纯净半导体的导电能力不比金属导体差。
P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
半导体的自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()
半导体:导电能力介于()之间的物质。
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