通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低（）

硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（） 在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。 中国大学MOOC: 对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为： 掺杂半导体是掺入杂质的半导体（） 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。 在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关，而与掺杂浓度无关 通常水温越高，电导率越低。 对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。 对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器（） 在杂质半导体中多数载流子数目取决于掺杂浓度（） 在掺杂半导体中，少子的浓度则受 的影响很大（） N型半导体是在半导体中掺入（）后，所获得的掺杂半导体。 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加（） DNA电泳迁移率的对数与凝胶浓度 水温传感器内部是一个半导体热敏电阻，它具有负的温度电阻系数，水温越低电阻越低水温越高电阻越高。 本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度（） 同种岩石体积密度越大，则孔隙率越低，强度、吸水率、耐久性越高。 同种岩石容积密度越大，则孔隙率越低，强度、吸水率、耐久性越高（）