三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。

晶体三极管内部有（）半导体材料构成。 NPN型晶体三极管的发射区和集电区都是N型半导体,所以,它的发射区和集电区可以互换。（） 三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为()。 三极管由两层半导体组成。 三极管有三个电极，分别是（）、（）、（）,分别用字母（）、（）、（）表示。基区和发射区之间的PN结称为（）,基区和集电区之间的PN结称为（）。   NPN型三极管的集电区和发射区都是N型半导体，因此可以将三极管的C、E两个电极交换使用（） 半导体晶体管有三个区，即发射区、基区（）。 二极管和三极管内部都是杂质半导体（） 三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（） 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用（） 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换（） 三极管的三个区分别是基电区、发射区和集区。 （ ） 三极管的发射区掺杂浓度（ ） 晶体三极管有3个导电区，其中基区与发射区之间的PN结被称为（）。 三极管的集电区和发射区可以互换（） 三极管BJT制作时，通常基区掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则很高。() 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（） 三极管是由两个PN结的三层半导体制成的（）