()二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。

硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 硅二极管的正向压降为（）,锗二极管的正向压降为（）。 二极管按使用的半导体材料不同分为锗二极管和硅二极管。（） 二极管按使用的半导体材料不同分为锗二极管和硅二极管（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 锗二极管导通压降是（）V 二极管按材料分类有硅管和锗管（） 锗二极管的正常导通管压降为（）。 硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。 硅二极管比锗二极管的热稳定性（） 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管导通后的管压降是（）伏。 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（）