在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常           于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳性能较           。  

当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度降低时，二极管反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流()。 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（） 硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（） 硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（） 硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将减小。（ ） 二极管的反向饱和电流主要与（）有关。当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（） 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（小）（） 在二极管上加反向电压时,在一定范围内，反向电流基本，通常称为反向饱和电流 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（）。 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（） 二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（）