PFM修复体初期预氧化过程中除气应在比次烧结温度高（）的真空状态烧结。

烧结过程中，烧结带的温度可达（）℃。 若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度 烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。（） 烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度（） 烧结法生产氧化铝过程中，生料浆的配料指标中钙比是下列哪项?() 烧结过程中，气相中水蒸汽开始冷凝的温度称为露点，露点温度一般为（）。 在烧结过程中，磁铁精矿在氧化过程中会（）。 在氧化精炼过程中温度过高，熔体中饱和氧化亚铜亦多，造成渣含铜高，还原时间延长（） 造成PFM修复体崩瓷现象的原因中不包括 PFM烧结过程，下列说法正确的有（） 烧结过程中料层中温度越向下（）。 下列哪项为影响PFM修复体成功的关键（） 烧结过程中温度最高的区域是（） 烧结过程中温度最高的带是（）。 烧结过程中，温度最高的层是（）。 在烧结过程中，主要是氧化气氛，局部是（）。 在烧结过程中总体是氧化气氛，局部是（）。 非贵金属烤瓷桥修复，金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持的时间为 冷冻干燥过程中预冻温度应低于产品共熔点（） 自身上釉指的是将修复体烧结到与原来的烧结温度相同或稍高的过程。达到上釉的温度之后，应维持（）时间，直到瓷的外表面形成理想的光泽度为止