单选题

若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度

A. 高20~30℃
B. 高10~20℃
C. 高10℃以内
D. 低10℃以内
E. 低10~20℃

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换一换
单选题
若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度
A.高20~30℃ B.高10~20℃ C.高10℃以内 D.低10℃以内 E.低10~20℃
答案
单选题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()
A.低于体瓷烧结温度5℃ B.低于体瓷烧结温度10℃ C.高于体瓷烧结温度5℃ D.高于体瓷烧结温度10℃ E.以上均不正确
答案
单选题
自身上釉指的是将修复体烧结到与原来的烧结温度相同或稍高的过程。达到上釉的温度之后,应维持()时间,直到瓷的外表面形成理想的光泽度为止
A.20~30秒 B.30~60秒 C.1~2分钟 D.2~4分钟 E.5~7分钟
答案
主观题
关于陶和瓷的比较,烧结温度上,陶的烧结温度比瓷____
答案
单选题
上釉的烧结温度是()
A.低于体瓷烧结温度5℃ B.低于体瓷烧结温度10℃ C.高于体瓷烧结温度5℃ D.高于体瓷烧结温度10℃ E.以上均不正确
答案
单选题
上釉的烧结温度是
A.低于体瓷温度5℃ B.低于体瓷温度10℃ C.低于体瓷温度20℃ D.高于体瓷温度5℃ E.高于体瓷温度10℃
答案
单选题
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃ B.高于体瓷烧结温度10℃ C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E.防止磨料成分污染金属表面
答案
单选题
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃ B.高于体瓷烧结温度10℃ C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E.防止磨料成分污染金属表面
答案
单选题
金属的熔点高于瓷烧结温度是为了
A.有利于金瓷的化学结合 B.有利于瓷粉的冷却 C.防止瓷粉烧结后崩裂 D.防止金属基底变形 E.使瓷烧结后产生压应力
答案
单选题
烤瓷合金的熔点应高于瓷烧结温度为
A.50~100℃ B.170~270℃ C.400℃以上 D.110~150℃ E.280~370℃
答案
热门试题
金属烤瓷材料中,烧结温度最低的瓷是() PFM修复体初期预氧化过程中除气应在比次烧结温度高()的真空状态烧结。 瓷质砖的烧结温度高,瓷化程度好,吸水率小于(  )。 烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。 外染法烧结时要注意烤瓷炉的温度,过高使瓷冠(),过低使瓷冠() 烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。() 烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度() 烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的()温度。 低温烧结是指控制烧结温度在()范围 金属烤瓷材料的烧结温度应比金属的熔点 烧结过程中,烧结带的温度可达()℃。 烧结点火温度原则上应低于烧结熔化温度而接近物料的()。 烧结点火温度过低,将会()烧结矿的强度。 烧结范围即烧结所需最少液相量温度与开始结大块时的温度之差() 烧结温度过低和烧结时间过短致使产品未能达到所需性能的烧结叫()。 低温烧结是指烧结温度控制在()℃范围内 目前一般认为烧结温度大于1300℃叫高熔融型烧结即高温烧结,低于1300℃为低温烧结。 目前一般认为烧结温度大于1300℃叫高熔融型烧结即高温烧结,低于1300℃为低温烧结() 烧结温度是指烧结料层中某一点的()。 >若总管负压上升,废气温度下降,最后三个风箱温度下降,说明烧结终点()
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