单选题

电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()

A. 电子束无明显建成效应
B. 电子束的皮肤剂量较高
C. 电子束的照射范围平坦
D. 电子束射程较短
E. 电子束容易被散射

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单选题
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()
A.电子束无明显建成效应 B.电子束的皮肤剂量较高 C.电子束的照射范围平坦 D.电子束射程较短 E.电子束容易被散射
答案
单选题
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()
A.随深度增加,等剂量线向外侧扩张 B.电子束入射距离较远 C.电子束入射能量较高 D.电子束中包含一定数量的X射线 E.电子束在其运动径迹上不易被散射
答案
单选题
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()
A.大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区 B.大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区 C.大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区 D.剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减 E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()
A.剂量建成区 B.高剂量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是
A.剂量建成区 B.高质量坪区 C.X射线污染区 D.剂量跌落区 E.指数衰减区
答案
单选题
描述电子束百分深度剂量的参数不包括()
A.DS(表面剂量) B.DX(韧致辐射剂量) C.Rr(剂量规定值深度) D.RP(射程) E.Dr(剂量规定值) F.Mn2+ G.Cu2+
答案
单选题
描述电子束百分深度剂量的参数不包括
A.D#$IMG0$#(表面剂量) B.D#$IMG1$#(韧致辐射剂量) C.R#$IMG2$#(剂量规定值深度) D.R#$IMG3$#(射程) E.D#$IMG2$#(剂量规定值)
答案
单选题
描述电子束百分深度剂量的参数不包括()
A.DS(表面剂量) B.DX(韧致辐射剂量) C.Rr(剂量规定值深度) D.RP(射程) E.Dr(剂量规定值)
答案
单选题
不属于高能电子束百分深度剂量的是
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.X射线污染区 E.剂量跌落区
答案
单选题
电子束斜入射对百分深度剂量的影响是
A.源于电子束的侧向散射效应 B.距离平方反比造成的线束的扩散效应 C.源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果 D.源于电子束的偏射角度 E.源于射程的增加
答案
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