斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态（）
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斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
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斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态（）
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绝缘栅双极晶体管电路（）
A.不必有专门的强迫换流 B.可以有专门的强迫换流 C.必须有专门的强迫换流 D.可以有专门的强迫换流
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绝缘栅双极晶体管简称__
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关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是（）
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢 B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快 C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大 D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快
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绝缘栅双极晶体管特点有（）
A.输入阻抗高 B.工作频率高 C.驱动功率小 D.能处理大电流 E.过载能力差 F.易击穿
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绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
A.集电极 B.栅极 C.发射极 D.门极
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绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。
A.晶闸管 B.单结晶体管 C.电力场效应管 D.电力晶体管和电力场效应管
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IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。
A.高输入阻抗 B.高速特性 C.大电流密度 D.所需驱动功率小 E.驱动电路简单
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要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
A.在栅极加正电压 B.在集电极加正电压 C.在栅极加负电压 D.在集电极加负电压
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绝缘栅双极晶体管属于()控制元件。
关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（）
绝缘栅双极晶体管属于半控型器件
绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件
IGBT即绝缘栅双极晶体管，是端器件（）
下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称（）
绝缘栅双极晶体管内部为四层结构（）
绝缘栅双极晶体管的本质是一个（）。
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。
绝缘栅双极晶体管必须有专门的强迫换流电路（）
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。
绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。
绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。
斩波器中的电力晶体管，工作在（）状态
在单结晶体管触发电路中，单结晶体管工作在开关状态。
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