高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高（）
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高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高（）
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高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双极性晶体管（IGBT）适用的频率更高（）
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静电感应晶体管的英文缩写是()。
A.PIC B.IGCT C.SITH D.SIT
答案
当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（）
A.导通 B.截止 C.放大 D.击穿
答案
当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于导通状态，在电路中相当于接触器的常闭触点（）
答案
静电感应晶体管SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。
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GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（）
A.绝缘栅双极晶体管 B.可关断晶闸管 C.电力晶体管 D.电力场效应晶体管
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功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，在电路中，栅、源极间常并联以防止电压过高（）
A.整流二极管 B.齐纳二极管 C.变容二极管 D.发光二极管
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绝缘栅双极晶体管简称__
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绝缘栅双极晶体管电路（）
A.不必有专门的强迫换流 B.可以有专门的强迫换流 C.必须有专门的强迫换流 D.可以有专门的强迫换流
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绝缘栅双极晶体管特点有（）
绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。
绝缘栅双极型晶体管简称（）
绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（）
绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（）
功率场效应晶体管（PowerMOSFET）的栅极绝缘层很薄弱，容易因静电感应被击穿而损坏，一般在不用时将其三个电极（）
IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。
要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
绝缘栅双极晶体管属于()控制元件。
绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（）
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
绝缘栅双极型晶体管IGBT是的复合管（）
绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件
绝缘栅双极晶体管属于半控型器件
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（）
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管（）
绝缘栅双极型晶体管具有的优点（）
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